Memoria DDR4 4Gb 2666 Kingston

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Descripción

CARACTERISTICAS

• Fuente de alimentación: VDD = 1,2 V típico
• VDDQ = 1,2 V típico
• VPP = 2,5 V típico
• VDDSPD = 2,2 V a 3,6 V
• Terminación nominal y dinámica en matriz (ODT) para
señales de datos, luz estroboscópica y máscara
• Autoactualización de bajo consumo (LPASR)
• Inversión de bus de datos (DBI) para bus de datos
• Generación y calibración de VREFDQ en matriz
• Rango único
• EEPROM de detección de presencia (SPD) en serie I2 integrada
• 8 bancos internos; 2 grupos de 4 bancos cada uno
• Corte de ráfaga fijo (BC) de 4 y longitud de ráfaga (BL) de 8
a través del conjunto de registros de modo (MRS)
• BC4 o BL8 seleccionables sobre la marcha (OTF)
• Topología fly-by
• Bus de dirección y comando de control terminado
• PCB: Altura 1.23 “(31.25 mm)
• Cumple con RoHS y sin halógenos

Información adicional

Peso 1 kg
Dimensiones 24 × 53 × 4.5 cm

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