Memoria SODIMM DDR3 8Gb 1600 Kingston

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Descripción

• Fuente de alimentación estándar JEDEC de 1,5 V (1,425 V ~ 1,575 V)
• VDDQ = 1,5 V (1,425 V ~ 1,575 V)
• 800MHz fCK para 1600Mb / seg / pin
• 8 bancos internos independientes
• Latencia CAS programable: 11, 10, 9, 8, 7, 6
• Latencia aditiva programable: reloj 0, CL – 2 o CL – 1
• Precarga de 8 bits
• Longitud de ráfaga: 8 (intercalado sin ningún límite, secuencial con
dirección de inicio “000” solamente), 4 con tCCD = 4 que no
Permitir lectura o escritura sin problemas [ya sea sobre la marcha utilizando A12 o
SEÑORA]
• Estroboscópico de datos diferenciales bidireccionales
• Calibración interna (auto): autocalibración interna a través de ZQ
pin (RZQ: 240 ohmios ± 1%)
• En la terminación de la matriz utilizando el pin ODT
• Período de actualización promedio 7.8us por debajo de TCASE 85 ° C,
3.9us a 85 ° C • Restablecimiento asincrónico
• PCB: Alto 1.180 ”(30.00 mm), componente de doble cara
CL (IDD) 11 ciclos
Tiempo de ciclo de fila (tRCmin) 48.125ns (min.)
Actualizar a Activo / Actualizar 260ns (min.)
Tiempo de comando (tRFCmin)
Tiempo activo de fila (tRASmin) 35ns (min.)
Potencia de funcionamiento máxima 2.580 W *
Clasificación UL 94 V – 0
Temperatura de funcionamiento 0o
C hasta 85o
C
Temperatura de almacenamiento -55o C a + 100o
C
* La potencia variará según la SDRAM utilizada.

Información adicional

Peso 1 kg
Dimensiones 24 × 53 × 4.5 cm

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